Samsung tích hợp thêm công nghệ LLW DRAM đặc biệt cho AI

Công nghệ LLW DRAM sẽ được Samsung tích hợp vào các dòng điện thoại thông minh. (Ảnh: Arenatech)

Samsung Semiconductor vừa công bố một đột phá đầy tiềm năng với "một loại DRAM đặc biệt" được gọi là LLW DRAM, được thiết kế đặc biệt để hỗ trợ trí tuệ nhân tạo (AI) trong điện thoại di động và các ứng dụng chơi game. LLW là viết tắt của "IO có độ trễ thấp."

Thông tin ban đầu về LLW DRAM được tiết lộ vào tháng 1 trong sự kiện Tech Day của Samsung Semiconductor và cũng được đề cập trong Memory Tech Day vào tháng 10 vừa qua, nơi công ty giới thiệu các giải pháp HBM3E Shinebolt và LPDDR5X CAMM2.

Mới đây, Samsung đã chia sẻ thêm thông tin về chip LLW của mình thông qua một video quảng cáo dài 44 giây. Video này cho thấy rằng giải pháp LLW thường được đặt ngay bên cạnh CPU trên SoC (Hệ thống trên Chip), điều này hợp lý với tuyên bố về "độ trễ thấp" của nó. Điều thú vị là video gợi ý rằng chip LLW sẽ hoạt động cùng với CPU thay vì thay thế hoàn toàn DRAM truyền thống.

Mặc dù chưa có thông tin chính xác về thời điểm sử dụng LLW DRAM trên chipset Samsung, nhưng có khả năng lớn dòng điện thoại Samsung Galaxy S24 sẽ là sản phẩm đầu tiên tích hợp công nghệ này.

Hiện Samsung đã công bố rằng dòng Galaxy S24 sẽ mang đến nhiều tính năng AI mới, bao gồm AI Live Translate Call, dự kiến sẽ được ra mắt vào đầu năm tới. Hơn nữa, dòng Galaxy S24 được đồn đoán là sẽ giới thiệu như một "AI Phone", đồng thời khẳng định sự cam kết của Samsung trong việc tích hợp công nghệ tiên tiến vào sản phẩm di động của mình.

	Chuyển đổi số trong cơ quan báo chí: Tối ưu hiệu quả và tăng cường tính cạnh tranh
	Samsung ra mắt Android 14 và One UI 6 cho dòng smartphone giá rẻ